Séoul, le 30 juillet /QNA/ La société sud-coréenne Samsung Electronics a annoncé aujourd’hui qu’elle commencera, d’ici la fin de l’année, la construction de sa 2ème usine de semi-conducteurs, connue sous le nom de "Taylor Fab 2", sur son site dans la ville Taylor, au Texas (États-Unis).
La société, qui est le premier fabricant mondial de puces mémoire, a indiqué lors d’une conférence téléphonique consacrée à ses résultats qu’elle se prépare à lancer les travaux de construction en 2026, avec un démarrage de la production de masse prévu en 2030.
Samsung a ajouté que la construction de l’usine "Taylor Fab 1" progresse conformément au calendrier établi et que sa mise en service est attendue cette année, précisant ses plans d’expansion progressive des capacités de production pour les technologies avancées, notamment la technologie 2 nanomètres.
La société a également déclaré qu’elle suit la demande croissante des clients pour la technologie 1,4 nanomètre et qu’elle examine des plans pour sécuriser des capacités supplémentaires, lesquels seront définis progressivement en fonction des besoins des clients et des discussions en cours.
Samsung a indiqué qu’elle œuvre à la transition des procédés de fabrication traditionnels vers la production de puces en technologie 3 nanomètres, plus rentable, en mettant l’accent sur des produits spécialisés à forte valeur ajoutée nécessitant des technologies avancées.
Enfin, l’entreprise a indiqué qu’elle cherche à élargir ses accords d’approvisionnement à long terme avec les grandes sociétés de centres de données et d’intelligence artificielle dans le monde, dans le cadre de sa stratégie de croissance à moyen et long terme, alors que la demande soutenue pour les puces mémoire devrait se poursuivre.