سیول، 05 اگست (کیو این اے) - سام سنگ الیکٹرونکس کمپنی نے بدھ کو کہا کہ اس نے صنعت کا پہلا zHBM تصوراتی ماڈل پیش کیا ہے، جو اگلی نسل کی میموری آرکیٹیکچر ہے اور توقع ہے کہ HBM5 کی کارکردگی کے مقابلے میں تقریباً آٹھ گنا زیادہ کارکردگی فراہم کرے گا۔

دنیا کی سب سے بڑی میموری چپ بنانے والی کمپنی نے کل منگل کو سانتا کلارا، کیلیفورنیا میں فیوچر آف میموری اینڈ اسٹوریج 2026 کانفرنس میں اگلی نسل کی ٹیکنالوجی کی نمائش کی۔

جدید مصنوعی ذہانت (AI) کمپیوٹنگ کے لیے ڈیزائن کردہ، zHBM میں ایک نئی میموری آرکیٹیکچر ہے جو ہائی بینڈ وڈتھ میموری (HBM) کو براہ راست AI ایکسلریٹر کے اوپر عمودی طور پر اسٹیک کرتا ہے، روایتی ڈیزائن سے آگے بڑھتے ہوئے جس میں HBM پروسیسر کے ساتھ ساتھ رکھا جاتا ہے۔ ویفر-بونڈنگ ٹیکنالوجی استعمال کرتے ہوئے، zHBM HBM5 کے مقابلے میں 10 گنا سے زیادہ میموری ڈینسٹی حاصل کر سکتا ہے، جبکہ توانائی کی کارکردگی کو تین گنا بڑھا سکتا ہے اور تھرمل ریزسٹنس کو آدھے سے زیادہ کم کر سکتا ہے، کمپنی کے مطابق۔

یہ ٹیکنالوجی کسٹمر مخصوص ڈیزائنز کی بھی حمایت کرتی ہے، جس سے کسٹمائزڈ انٹلیکچوئل پراپرٹی کو میموری اور AI ایکسلریٹر کے درمیان انٹرلیئر میں ضم کیا جا سکتا ہے، میموری کی گنجائش بڑھائی جا سکتی ہے اور ایکسلریٹر کی کارکردگی بہتر کی جا سکتی ہے۔

AI پروسیسر اور میموری کے درمیان ڈیٹا کے سفر کی دوری کو کم کرکے، zHBM کو زیادہ بینڈ وڈتھ اور بہتر پاور ایفیشینسی فراہم کرنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے، جس سے بڑے پیمانے پر AI ٹریننگ اور انفرنس کے لیے انتہائی تیز ڈیٹا پروسیسنگ ممکن ہو سکے۔ (کیو این اے)