Сеул, 05 августа (QNA) - Компания Samsung Electronics сообщила в среду, что представила первые в отрасли концептуальные модели zHBM — архитектуры памяти нового поколения, которая, как ожидается, обеспечит примерно в восемь раз большую производительность по сравнению с HBM5.

Крупнейший в мире производитель микросхем памяти продемонстрировал технологию нового поколения на конференции Future of Memory and Storage 2026 в Санта-Кларе, Калифорния, вчера во вторник.

Разработанная для передовых вычислений искусственного интеллекта (AI), zHBM включает новую архитектуру памяти, которая вертикально размещает память с высокой пропускной способностью (HBM) непосредственно над AI-ускорителями, отходя от традиционных решений, где HBM располагается рядом с процессором. Используя технологию соединения пластин, zHBM может также достичь более чем в 10 раз большей плотности памяти по сравнению с HBM5, утроить энергоэффективность и снизить тепловое сопротивление более чем вдвое, согласно компании.

Технология также поддерживает индивидуальные проекты клиентов, позволяя интегрировать индивидуальную интеллектуальную собственность в межслой между памятью и AI-ускорителем, расширяя объем памяти и улучшая производительность ускорителя.

Минимизируя расстояние, которое проходит данные между AI-процессором и памятью, zHBM предназначен для обеспечения более высокой пропускной способности и большей энергоэффективности, позволяя сверхбыструю обработку данных, необходимую для масштабного обучения и вывода AI. (QNA)