سول في 23 يونيو /قنا/ أعلنت شركة سامسونج للإلكترونيات، اليوم، عن تطوير شريحة تخزين الفلاش العالمي (UFS 5.0)، لتكون أسرع شريحة تخزين فلاش عالمي في الصناعة، ومصممة لتمكين نماذج الذكاء الاصطناعي من العمل مباشرة على الأجهزة دون الحاجة إلى اتصال بالشبكة.

ووفقا للشركة، فإن ذاكرة تخزين الفلاش العالمي من الجيل التالي، والتي ستستخدم كوحدة تخزين في الهواتف الذكية والأجهزة المحمولة الأخرى، ستقدم أداء رائدا في الصناعة، موضحة أن هذا التطور يضع معيارا جديدا لسوق ذاكرة الهواتف المحمولة من الجيل التالي، مع التخطيط لبدء الإنتاج الضخم لهذه الشرائح الجديدة في الربع الأخير من العام المقبل 2027.

وأكدت الشركة أن الأداء المحسن لذاكرة (UFS 5.0) من المتوقع أن يقلل بشكل كبير من زمن الوصول، ويحسن أوقات الاستجابة للمستخدمين الذين يقومون بتشغيل نماذج لغوية كبيرة في بيئات الذكاء الاصطناعي المدمج في الجهاز.

من جهته، قال تشوي جانغ-سيوك، رئيس قسم تخطيط منتجات الذاكرة في الشركة، إن وحدات التخزين تتطور في عصر الذكاء الاصطناعي المدمج في الجهاز لتصبح محركا رئيسيا يحدد تجارب الذكاء الاصطناعي، خاصة أن الذكاء الاصطناعي التوليدي يشهد تحولا سريعا من الحوسبة السحابية إلى الأجهزة، مما يؤدي إلى زيادة حادة في كمية البيانات التي تجب معالجتها محليا، ونتيجة لذلك، تتطور شريحة التخزين من وسيط يستخدم في المقام الأول لتخزين البيانات إلى بنية تحتية أساسية تدعم الحوسبة القائمة على الذكاء الاصطناعي.

وأشارت الشركة إلى أن الشريحة الجديدة ستقدم سرعات قراءة مذهلة تتجاوز ضعف الجيل السابق لتصل إلى أكثر من 10 جيجابايت في الثانية، مع خفض استهلاك الطاقة بنسبة تصل إلى 40%، مما يعزز ريادة الشركة المستمرة لمستقبل سوق أشباه الموصلات العالمي، ويمنح الهواتف الرائدة القادمة القدرة الكاملة على معالجة مهام الذكاء الاصطناعي المعقدة محليا وبكفاءة غير مسبوقة.